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SiC MOSFET

第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗，研發了一系列SiC MOSFET 和GaN HEMT 器件。

SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢復電荷、高開關頻率的特性，工作溫度高達200°C，可以完美替代Si IGBT在高壓大功率領域的應用。

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Package   P/N   Cfg. VDS (V) VGS (V) ID (A) Vth_typ(V) Ron (Ω)
Tc=25℃ 18V

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