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半浮柵晶體管原創成果在美國《science》雜志上發表
2013-08-09
2013年8月,東微半導體原創的半浮柵晶體管技術論文在美國《science》雜志上發表,標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。
東微半導體制造出世界上首個半浮柵晶體管
2012-09-28
在東微半導體團隊的堅持和不懈努力下,2012年9月,世界上首個半浮柵晶體管(Semi-Floating gate Transistor)被研制成功,作為一種新型的基礎器件,半浮柵晶體管可應用于SRAM(即靜態隨機存儲器)和DRAM(即動態隨機存儲器領域)。
東微半導體獲蘇州工業園區領軍人才計劃項目支持
2009-03-31
2009年3月,在蘇州園區科技園和投資機構的多方協助下,東微半導體以先進的技術領先因素和堅定的創業決心,獲得蘇州工業園區領軍人才計劃項目支持,并拿到了原點創投400萬元的資金扶持,在原點創投的孵化基地里,東微半導體開始了創業征程。
東微創始人注冊成立蘇州東微半導體有限公司
2008-09-12
2008年,看到國內半導體集成電路行業的蓬勃發展,為了將先進的半導體器件技術留在中國,東微創始人龔軼和王鵬飛毅然決然的放棄在德國工作的優厚福利待遇以及即將拿到的德國綠卡,退掉德國社保回國創業,在2008年9月12日在蘇州注冊成立蘇州東微半導體有限公司。
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